1.力晶半导体83年设立，84年公开发行，87年上柜，股权结构相当分散，董监持股合计仅约4.99%，控制者为董事长黄崇仁持股2.36%。(持股基准日为96年9/30)。A.技术主要来自日商尔必达(堆叠式)，为策略联盟关系，96/4双方合资瑞晶半导体，设立4座12寸晶圆厂，总投资额达4500亿。B.集团色彩浓厚，旗下转投资除上游IC设计公司，中下游有记忆体模组与封测厂，触角甚至延伸到太阳能电池。2.为国内营收与产能最大的DRAM制造商，来自营运活动的现金流量不足支应庞大资本支出，必须靠举债或办理现增支应，营运风险高。A.力晶营收922亿(南科748亿、茂德603亿、华亚科408亿)，资本支出568亿(南科39亿、茂德276亿、华亚科284亿)。B.预期的Vista效益未见，而DRAM厂商持续扩厂并微缩制程，DRAM供过于求，价格续下滑，从95年营益率30%到96Q3转为(-1%)。3.产能规划及制程进度A.产能方面：1个八寸厂和3个十二寸厂,八寸厂97/4/1分割，以后所有的厂都是十二寸，目前八寸厂总产能为3.7万片，实际产能3万片，12A及B厂目前满载为9.2万片，12M全产能4万多片。B.位元成长率：力晶预估96全年位元成长率为90%.C.制程转换方面，预计96Q4约75%为70奈米投片，90奈米制程97/1最后一次投入，规划97年初导入60奈米，97Q2时投片。4.A.96年董事长黄崇仁涉嫌力广内线交易案遭检调起诉，形象不佳。B.96/11立èŸ控告力晶及旗下力智电子涉嫌侵权，后续待观察。
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