1987年：公司成立。初期为以功率半导体（PowerMOSFET）为主，CMOS为辅之4寸晶圆整合元件制造商（IDM），拥有自己之IC设计、生产及销售体系。1993年：董事会全面改选，由新经营团队进驻，重新定位公司营运方向，专注于MetalGateCMOSIC制造。1997年：4寸晶圆厂之每月产出提升至3万片。晶圆厂之晶圆报废率大幅降至5%以内。另产品良率提升至85%以上。每月营业额提升至6千万，为当时全国最大之MetalGateIC制造商。1998年：决定将4寸厂改建为6寸晶圆厂。首批6寸metalgate晶圆产出，良率已达93%。开发出当时全国最先进之3微米MetalGateCMOS制程。1999年：2微米MetalGateCMOS制程开发成功。引进12V高压（hi1999年：2微米MetalGateCMOS制程开发成功。引进12V高压（highvoltage）CMOS制程、1.2微米数位式CMOS制程及30V功率半导体（PowerMOSFET）制程。2000年：与客户合作开发成功功率半导体（PowerMOSFET）制程。通过ISO9002认证。2001年：通过ISO14001认证。开发量产之新制程产品包括700V功率半导体（MOSFET）、0.6微米CMOS制程及LCD驱动IC制程。自行开发0.6微米18伏特、30伏特、及40伏特高压制程技术。2002年：完成0.6微米30V、40V及1.0微米9V之高压CMOS制程开发及量产。2003年：股东常会通过变更公司名称为元隆电子股份有限公司。
总部
18, R D Rd. 2, Science-Based Industrial Park
新竹市; 新竹市;
联系方式: 购买元隆电子股份有限公司报告以查看信息。
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